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傳三星14納米NAND Flash今年上半年量產
來源:晨歌電子  發表時間:2016/1/3

誰說 14 納米的閃存不可行?南韓兩家內存廠前仆后繼挑戰這項不可能的任務有成,其中三星已經準備好轉入量產,而 SK 海力士預計 2016 年也將突破瓶頸。

南韓媒體ETnews引述業內消息報導指出,三星預計 2016 年上半年開始量產14納米NAND閃存,且1月底在舊金山舉行的國際固態電路論壇(ISSCC)上就有成品可先行展出。

與16納米相比,14 納米浮動閘極(floating gate)面積減少12.5%,這意謂著每片晶圓的內存芯片產出將增加,而平均生產成本則降低,使得產品更具價格競爭力。除了三星之外,海力士從年初時也下決心著手開發14納米技術,研發工作預估將在明年上半年完成,年末應可順利進入量產。

閃存是將電子包入浮動閘極,藉以此永久儲存信息。業界原認為 15~16 納米是內存維縮極限的原因在于,浮動閘極面積會隨維縮制程縮小,面積太小則將導致電子儲存空間不足。不過,三星似乎已想到方法克服這項障礙。

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